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- 数量
- 1个PNP-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型（DDTC）。 内置偏置电阻，仅R1。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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