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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 32A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V,16A
描述N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装
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