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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 128mΩ@10V,10A
描述采用 TO-220 封装的 N 沟道 650 V、128 mOhm（典型值）、20 A MDmesh M9 功率 MOSFET
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