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操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 18V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@4.5V
描述P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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