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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@5V
描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 产品为无铅产品。 VDS：-30V 最大，ID：-12A 最大。 RDS(ON) ≤13mΩ @VGS = -20V。 RDS(ON) ≤14mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) ≤30mΩ @VGS = -5V
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