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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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