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操作
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V；60mΩ@4.5V
描述这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
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