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1个N沟道 耐压:60V
TK90S06N1L,LXHQ
品牌
TOSHIBA(东芝)
封装
DPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7400279
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V

描述特性:AEC-Q101 认证。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:汽车。 开关稳压器

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