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1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
VBQF2317
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
DFN3x3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7429163
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
24A
导通电阻(RDS(on))
21mΩ@10V;27mΩ@4.5V

描述DFN8(3X3);P—Channel沟道,-30V;-24A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

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