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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
数量
1个N沟道
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
5A

描述特性:高速开关,低电容。 高阻断电压,低导通电阻。 易于并联,驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤,符合RoHS标准。应用:辅助电源。 开关电源

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