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操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述外延平面芯片结构，SOT - 23塑料封装。
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- 对比
- ￥0.0733
- ￥0.0571
- ￥0.0481
- ￥0.0427
- ￥0.0381
- ￥0.0355
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