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1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
STP80NF70-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7463568
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
120A
耗散功率
136W

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

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