展开筛选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数1
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 950mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥5.219
- ￥4.284
- ￥3.808
- ￥3.349
- ￥2.788
- ￥2.652
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 100
2500个/圆盘
个
总额￥0
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料