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- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V；28mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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