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操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流
- 1A
- 集射极击穿电压
- 32V
- 耗散功率
- 500mW
- 描述
- 三极管 N沟道, VDSS耐压 30V, ID电流 5.8A, RDON导通电阻 30mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 0.7-1.4V,
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