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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V；35mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。SOT23-6；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
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