HAT1020R-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7524955

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.8A

导通电阻(RDS(on))

33mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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