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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 33A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.8mΩ@10V；2.5mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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