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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。TO220；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
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