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- 栅极驱动芯片
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操作
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 600mA
描述DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接
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- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- MOSFET
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 600mA
描述电机驱动，逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
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