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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
描述新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
4.6折起
- ￥1.6962
- ￥1.1816
- ￥0.8786
- ￥0.7636
- ￥0.713
- ￥0.6854
现货最快4小时发货
- 现货
- 2951
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@4.5V
描述HSL0004 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSL0004 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.9066
- ￥0.705
- ￥0.6186
- ￥0.5108
现货最快4小时发货
- 现货
- 2450
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- 对比
- ￥2.2181
- ￥1.7645
- ￥1.5701
- ￥1.3275
- ￥1.2195
- ￥1.008
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- 现货
- 395
2500个/圆盘
个
总额￥0
