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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 98A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.9mΩ@10V
描述新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥3.47
- ￥2.92
- ￥2.58
- ￥2.23
- ￥2.07
- ￥2
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- 广东仓
- 1881
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 75A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5mΩ@10V
描述本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电性能和高可靠性，适用于多种功率电子系统。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，能够支持较高功率密度的设计需求；导通电阻RDON低至6.4mΩ，显著降低导通损耗并提高能效。器件采用先进工艺制造，具有良好的热稳定性和耐用性，适合应用于电源管理、开关电源、电机控制及储能设备等对性能要求较高的电路环境中，满足多样化电子系统的实际需求。
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SMT补贴嘉立创库存98
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥3.04
- ￥2.9735
- ￥2.926
- ￥2.888
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- 广东仓
- 98
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 78A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.6mΩ@10V
描述HSBA0048是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
RoHSSMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2015
- 收藏
- 对比
- ￥3.37
- ￥2.61
- ￥2.28
- ￥1.87
- ￥1.64
- ￥1.53
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- 广东仓
- 1995
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
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