收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- DFN-8(8x8)
- QFN-4(8x8)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 24A
- 导通电阻(RDS(on))
- 125mΩ@10V
描述SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥21.06804
订货99-101个工作日
- 库存
- 240K
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 160mΩ@10V
描述特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。低输入电容 (Cus)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。开关模式电源 (SMPS)
- 收藏
- 对比
- ￥19.39
- ￥16.54
- ￥14.75
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5
5000个/圆盘
个
总额￥0
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料