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操作
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- MOSFET；IGBT
- 工作电压
- 10V~20V
- 上升时间(tr)
- 100ns
描述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
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- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- MOSFET
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 600mA
描述SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
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