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FDD9407-F085
FDD9407-F085
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C903599
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
耗散功率(Pd)
227W
阈值电压(Vgs(th))
3.1V

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1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
FDD9407_F085-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20755494
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@4.5V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,适用于中等功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;120A;RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;

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