- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
- DOINGTER(杜因特)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOP-8
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 35mΩ@4.5V
描述此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 收藏
- 对比
- ￥8.64
- ￥7.2
- ￥6.41
- 现货
- 70
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V；20mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥1.88
- ￥1.64
- ￥1.54
- ￥1.42
- ￥1.23
- ￥1.2
- 现货
- 2846
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V；20mΩ@4.5V
描述本产品为P+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ。该器件具备较高的电流承载能力与较低的导通损耗，适用于需要高效功率控制与稳定性能的电路设计。可应用于便携式电源系统、消费类电子设备中的开关电源及电机驱动模块。其双P沟道结构支持同步整流与负载切换功能，有助于提升整体电路效率并简化外围设计，是一款适用于多种功率场景的基础型半导体器件。
- 收藏
- 对比
- ￥3.1065
- ￥2.4415
- ￥2.1565
- ￥1.7955
- ￥1.634
- ￥1.539
- 现货
- 76
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥3.06
- ￥2.431
- ￥2.159
- ￥1.819
- ￥1.666
- ￥1.581
- 现货
- 25
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V；28mΩ@4.5V
描述特性：无卤。 沟槽功率MOSFET。 100% UIS测试。应用：负载开关。 笔记本电脑
- 收藏
- 对比
- ￥3.009
- ￥2.38
- ￥2.108
- ￥1.7765
- ￥1.6235
- ￥1.53
- 现货
- 38
4000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V；28mΩ@4.5V
描述特性：无卤。沟槽功率MOSFET。100% UIS测试。应用：负载开关。笔记本电脑
- 收藏
- 对比
- ￥3.88
- ￥3.15
- ￥2.78
- ￥2.42
- ￥2.18
- ￥2.07
- 现货
- 25
4000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述HSM3303 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM3303 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.8883
- ￥0.7138
- ￥0.6266
- ￥0.5612
- ￥0.4534
- ￥0.4272
- 现货
- 1460
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 7.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 35mΩ@10V；40mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥1.3905
- ￥1.339
- ￥1.236
- ￥1.1845
- ￥1.1536
- 库存
- 4000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述P+P管/-30V/-8A/16mΩ(典型值13mΩ)
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.6942
- ￥0.5488
- ￥0.4761
- ￥0.4215
- ￥0.3779
- ￥0.3561
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 2.2W
描述中低压MOSFET产品，两个P沟道，耐压：-30V,电流：-10.5A,RDSON:11mR
- 收藏
- 对比
