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- 类目
- 碳化硅二极管
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- onsemi(安森美)
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- TO-220-2
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 二极管配置
- 独立式
- 整流电流
- 8.8A
- 正向压降(Vf)
- 1.5V@6A
- 直流反向耐压(Vr)
- 650V
描述碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
- 收藏
- 对比
4.7折起
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近期成交2单
- 整流电流
- 19A
- 正向压降(Vf)
- 1.8V@6A
- 直流反向耐压(Vr)
- 650V
- 反向电流(Ir)
- 80uA@650V
描述全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD
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- ￥6.2
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- 整流电流
- 23A
- 正向压降(Vf)
- 1.5V@6A
- 直流反向耐压(Vr)
- 650V
- 反向电流(Ir)
- 50uA@650V
描述这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培。适用于高频开关电源、逆变器及其它需要高效能转换的应用中，提供卓越的导电性能与可靠性。
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