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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 27A
- 导通电阻(RDS(on))
- 70mΩ@10V
描述此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 收藏
- 对比
- ￥10.59
- ￥8.92
- ￥7.88
- ￥6.8
- ￥6.32
- ￥6.11
现货最快4小时发货
- 现货
- 1652
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 48mΩ@10V；66mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥3.8335
- ￥3.4255
- ￥3.0005
- ￥2.7965
- ￥2.6775
- ￥2.618
现货最快4小时发货
- 现货
- 418
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述HSH6115 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.85
- ￥3.1
- ￥2.73
- ￥2.36
- ￥1.93
- ￥1.82
现货最快4小时发货
- 现货
- 52
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
