FQPF3N80C

品牌

onsemi(安森美)

封装

TO-220F-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C11766

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

800V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

4.8Ω@10V

描述此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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