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操作
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω;6Ω
描述N+P双通道MOSFET,采用平面工艺设计,可靠性高,性能优异,SOP-8双芯小型化封装,此微型集成器件提供了单组件方案,N、P管的G-S间均集成了电阻与齐纳二极管(可对G-S电压进行钳位),输入阻抗高,且具有较强的功率处理能力,是高压脉冲发生器应用的理想选择。
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