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N沟道+P沟道 增强型MOSFET
FTE03R20D
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46532093
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
3Ω;6Ω

描述N+P双通道MOSFET,采用平面工艺设计,可靠性高,性能优异,SOP-8双芯小型化封装,此微型集成器件提供了单组件方案,N、P管的G-S间均集成了电阻与齐纳二极管(可对G-S电压进行钳位),输入阻抗高,且具有较强的功率处理能力,是高压脉冲发生器应用的理想选择。

RoHS

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