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NPN
HTDTC143ELM
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
数字晶体管
编号
C42389359
数量
1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
晶体管类型
NPN

描述这款数字晶体管属于NPN类型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),能够承受最大100mA的集电极电流(Ic),并且拥有200mW的功率耗散能力(Pd)。它适用于多种电子电路设计中,作为开关或放大元件使用,能够在各种消费电子产品和家用电器等非汽车与工业环境中发挥其优良性能。凭借其紧凑的设计和可靠的电气特性,该晶体管是实现高效、稳定电路功能的理想选择。

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