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操作
- 耗散功率(Pd)
- 263W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.6kV
- 集电极电流(Ic)
- 60A
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2.15V@30A,15V
描述特性：强大的单片体二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性，温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。 低电磁干扰（EMI）。应用：电磁炉。 微波炉
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- IGBT类型
- FS(场截止)
- 耗散功率(Pd)
- 263W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.6kV
- 集电极电流(Ic)
- 60A
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