收起筛选
- 类目
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 品牌
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-247-4
- 更多
- 包装
- 标签
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 类型
- N沟道
- 配置
- 半桥
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
个
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 类型
- N沟道
- 配置
- 独立式
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
描述该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高功率条件下仍能维持稳定电气特性，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。
