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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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价格
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价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V
描述8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
个
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 165mΩ@10V
描述COOLMOS，封装：DFN-8 8x8，极性：N场，耐压：600V，电流：20A，10V内阻：0.18Ω，功率：180W，COSS(TYP):1400PF
个
近期成交4单
