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- 类目
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 场效应管(MOSFET)
多选 - 品牌
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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- TO-247-4
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综合排序
价格
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价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 69A
- 导通电阻(RDS(on))
- 29mΩ@10V
个
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 类型
- N沟道
- 配置
- 独立式
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
描述该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率优势，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，低导通电阻有助于降低传导损耗，从而支持更紧凑、高效的电力转换架构。
