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    • 栅极驱动芯片
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IR2101STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2956
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V

RoHSSMT扩展库

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2500/圆盘

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近期成交100单+

高端与低端驱动器
IR2101STRPBF(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C42395630
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
380mA

描述IR2101S是一款半桥前级驱动IC,能够驱动一对功率器件(IGBT/N-MOSFET)。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO(欠压锁定)和交叉导通防护功能。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4035
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  • 2.28
  • 1.7955
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4035

3000/圆盘

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近期成交11单

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
IR2101STRPBF-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C5804627
驱动配置
高边;低边
负载类型
MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
600mA

描述高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4096
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广东仓
3916

4000/圆盘

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近期成交91单

IR2101STRPBF-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOP-8
备注
流动库存,下单前请确认!
立推售价
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库存
40K

4000/圆盘

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高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器
IR2101PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
PDIP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2955
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存39
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近期成交2单

高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器
IR2102STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C152687
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1087
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广东仓
1012

2500/圆盘

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近期成交7单

IR2101SPBF
IR2101SPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C537541
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA
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