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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 驱动配置
- 高边
- 负载类型
- IGBT;MOSFET
- 驱动通道数
- 1
- 灌电流(IOL)
- 3.3A
描述是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,带有过流限制保护电路。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器交叉导通。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。逐个周期关断由外部电容器编程,该电容器直接控制过流限制条件检测和锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动工作电压高达500V的高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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