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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述HEXFET Power MOSFET利用最新加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩产生能力。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
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- 对比
- ￥13.54
- ￥11.43
- ￥10.11
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- 现货
- 48
1000个/管
个
总额￥0
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V；6mΩ@4.5V
描述TO263；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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- 对比
8.5折
- ￥4.165
- ￥3.3575
- ￥2.9495
- ￥2.55
- ￥2.3035
- ￥2.1845
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- 现货
- 55
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 53A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@4.5V
描述特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
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- ￥0.8525
- ￥0.7697
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- 现货
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2500个/圆盘
个
总额￥0
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