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- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 500mΩ@10V
描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、器件设计坚固、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业和工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片与外部散热器之间具有低热阻
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