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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- VBsemi(微碧半导体)
多选 - 封装
- TO-263-7
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- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数3
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 338A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4mΩ@10V
描述特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
个
近期成交67单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 295A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.65mΩ@10V
描述N沟道 60V 195A
个
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2mΩ@10V
描述TO263-7L；N—Channel沟道,60V；200A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2.5~3.5V；
个
