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1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
ISC0802NLSATMA1
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TDSON-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3288904
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
150A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V;4.3mΩ@4.5V

描述特性:适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素。 根据JEDEC标准进行产品验证

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