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IXFH52N30P
IXFH52N30P
品牌
Littelfuse(美国力特)
封装
TO-247AD
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7290908
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
300V
连续漏极电流(Id)
52A
导通电阻(RDS(on))
73mΩ@10V

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N沟道 300V 52A
IXFH52N30P
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C24483163
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
300V
连续漏极电流(Id)
52A
导通电阻(RDS(on))
73mΩ@10V

描述特性:快速本征整流器。雪崩额定。低RDS(ON)和QG。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存5
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N沟道650V(D-S)超结功率MOSFET
IXFH52N30P-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C45662489
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
47A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道,650V;47A;RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术

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