收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
多选 - 品牌
- Littelfuse/IXYS
- VBsemi(微碧半导体)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-220F
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 310mΩ
描述特性：国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 收藏
- 对比
5.5折起
- ￥37.1325
- ￥28.275
- ￥21.9175
- ￥20.229
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 8
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
描述该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥9.918
- ￥8.436
- ￥7.505
- ￥6.5455
- ￥6.118
- ￥5.9375
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 10
50个/管
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 360mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=360(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 收藏
- 对比
- ￥10.75
- ￥8.96
- ￥7.99
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 8
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 310mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥7.931
- ￥7.8589
- ￥7.7868
订货15-17个工作日
- 库存
- 19K+
- 增量
- 300
- 最小包装
- 300个
个
总额￥0
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料