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- 类目
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 场效应管(MOSFET)
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优惠券/标签
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库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 34A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
描述特性：国际标准封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
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个
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描述该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。
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