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    • 场效应管(MOSFET)
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1个N沟道 耐压:1kV 电流:800mA
IXTA08N100D2
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-263-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C150412
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
800mA
耗散功率(Pd)
60W

描述N沟道,1000V,0.8A,21Ω@0V

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N沟道,电流:800mA,耐压:1000V
IXTA08N100D2HV
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-263HV
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3281699
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
800mA
导通电阻(RDS(on))
21Ω@0V

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SMT补贴嘉立创库存203
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近期成交4单

IXTA08N100D2-TRL
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-263(D2Pak)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3291084
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
800mA
导通电阻(RDS(on))
21Ω@0V

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1个N沟道 耐压:1kV 电流:800mA
IXTA08N100D2HV-TRL
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-263HV
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3291202
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
800mA
导通电阻(RDS(on))
21Ω@0V

RoHS

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