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- 场效应管(MOSFET)
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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
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- 2.5V
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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 52A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@10V
描述特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 坚固的PolarPTM工艺。 低QG和Rds(on)。应用:高端开关。 推挽放大器
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