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P沟道增强型功率MOSFET
IXTH10P60
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7430189
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
1Ω@10V

描述特性:国际标准封装。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅极单元结构。 雪崩额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。应用:高端开关。 推挽放大器

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