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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述特性:国际标准封装。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅极单元结构。 雪崩额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。应用:高端开关。 推挽放大器
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