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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 34A
- 导通电阻(RDS(on))
- 96mΩ@10V
描述特性：国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
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个
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描述该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍能保持较低的导通损耗和良好的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统，可有效提升整体能效与功率密度。
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