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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 790mΩ@10V
描述特性：硅芯片位于直接铜键合（DCB）基板上。UL认证封装。隔离安装表面。2500V电气隔离。雪崩额定。坚固的PolarPTM工艺。应用：高端开关。推挽放大器
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