IXXX160N65C4-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-247P

类目

IGBT管/模块

编号

C49003478

耗散功率(Pd)

1kW

集射极击穿电压(Vces)

650V

集电极电流(Ic)

240A

集射极饱和电压(VCE(sat))

1.6V@160A,15V

描述该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。

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